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IGBT门极驱动电阻的计算和测试

2021-03-04 15:32:50

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IGBT门极驱动电阻的计算和测试

 IGBT是通过门极电容的充放电来控制开通和关断,门极电容的充放电通过门极驱动电阻来控制,门极驱动电阻的大小影响lGBT的开关时间、开关损耗、反向偏压安全工作区、短路安全工作区等,还与电路的EMI、du/dt、di/dt等有着密切的关系,门极驱动电阻的选择是驱动电路设计的重要部分。附表是驱动电阻的变化与驱动电路参数的关系。

附表 驱动电阻于开关参数的关系
驱动电阻于开关参数的关系

 
  从附表可以看出,门极驱动电阻越大,开关损耗和驱动脉冲上升下降时间就越少,相反,减少驱动电阻,开关损耗和脉冲上升下降时间就会增加。门极驱动电流的峰值可以表示为
门极驱动电流的峰值表示公式
 
其中:IGM 是门极驱动电路输出的峰值电流;
  VG(on) 正偏压电源电压;
  VG(off) 负偏压电源电压;
  RG 驱动电路门极电阻;
  RG(int) 模块内部的驱动电阻。
IGBT门极驱动电阻计算公式
 
  总之,IGBT门极驱动电阻可以参考以下要求:
  (1)额定电流大的器件门极驱动电阻较小,额定电流小的器件,门极驱动电阻比较大。
  (2)驱动电阻的最优选值可以取IGBT手册标注的电阻值的两倍。由于手册标注的电阻往往是最小的电阻,所以可以考虑选取两倍的电阻作为参考电阻,这样可以保证IGBT发生特殊情况时可靠关断。
  开通电阻RG(on)往往比关断电阻RG(off)小,一般开通电阻可以取到关断电阻的1/2。


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作者: 深圳市华科智源科技有限公司
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