MOS管静态参数测试仪

MOS管参数测试仪,主要用于MOS管,IGBT芯片设计,封装以及失效分析以及来料选型阶段使用,能够测试SIC材料的MOS管,IGBT,是很多芯片设计公司,研究所及高校及企业IQC选型阶段的对器件性能测试的首选工具。华科智源的MOS管测试仪,还能够测试器件的I-V曲线,二极管伏安特性,MOS管Rdson曲线,快速判断并给出测试报告。

型号 : HUSTEC-5000
品牌 : 华科智源
名称 : MOS管测试仪
用途 : 二三极管,MOS管,IGBT的芯片设计,来料选型,失效分析

产品介绍

HUSTTEC-5000是一款很具有代表性的新型半导体晶体管图示系统,本系统可自动生成功率器件的I-V曲线,也可根据客户的实际需求设置功能测试,直接读取数显结果。系统在失效分析,IQC来料检验及高校实验室等部门有广泛的应用。系统生成的曲线都使用ATE系统逐点建立,保证了数据的准确可靠。系统典型的测试时间是6to20ms,通常上百个数据点曲线只需要几秒钟时间便可以展现出来,数据捕获的曲线可导入EXCEL等格式进一步分析研究,是一款高效多功能的高端半导体测试设备。
本系统使用方便,只需要通过USB或者RS232与电脑连接,通过电脑中友好的人机界面操作,即可完成测试。并可以实现测试数据以EXCEL和WORD的格式保存。系统提供过电保护功能,门极过电保护适配器提供了广泛的诊断测试。这些自我测试诊断被编成测试代码,以提供自我测试夹具,在任何时间都可以检测。对诊断设备状态和测试结果提供了可靠地保证。
 
 
基本配置  
   1.测 试 电 压: 0-2KV
   2.测 试 电 流: 0-50A,
     (可扩展到1000A)
   3.电 压分辨率: 1mV
   4.电流 分辨率: 0.1nA            
   5.测 试 精 度: 0.2%+2LSB
   6.测试速度:0.2MS/参数