MOS管静态参数测试仪

MOS管参数测试仪,主要用于MOS管,IGBT芯片设计,封装以及失效分析以及来料选型阶段使用,能够测试SIC材料的MOS管,IGBT,是很多芯片设计公司,研究所及高校及企业IQC选型阶段的对器件性能测试的首选工具。华科智源的MOS管测试仪,还能够测试器件的I-V曲线,二极管伏安特性,MOS管Rdson曲线,快速判断并给出测试报告。

型号 : HUSTEC-5000
品牌 : 华科智源
名称 : MOS管测试仪
用途 : 二三极管,MOS管,IGBT的芯片设计,来料选型,失效分析

产品介绍

HUSTTEC-5000是一款很具有代表性的新型半导体晶体管图示系统,本系统可自动生成功率器件的I-V曲线,也可根据客户的实际需求设置功能测试,直接读取数显结果。系统在失效分析,IQC来料检验及高校实验室等部门有广泛的应用。系统生成的曲线都使用ATE系统逐点建立,保证了数据的准确可靠。系统典型的测试时间是6to20ms,通常上百个数据点曲线只需要几秒钟时间便可以展现出来,数据捕获的曲线可导入EXCEL等格式进一步分析研究,是一款高效多功能的高端半导体测试设备。
本系统使用方便,只需要通过USB或者RS232与电脑连接,通过电脑中友好的人机界面操作,即可完成测试。并可以实现测试数据以EXCEL和WORD的格式保存。系统提供过电保护功能,门极过电保护适配器提供了广泛的诊断测试。这些自我测试诊断被编成测试代码,以提供自我测试夹具,在任何时间都可以检测。对诊断设备状态和测试结果提供了可靠地保证。
 
 
基本配置  
   1.测 试 电 压: 0-2KV
   2.测 试 电 流: 0-50A,
     (可扩展到1000A)
   3.电 压分辨率: 1mV
   4.电流 分辨率: 0.1nA            
   5.测 试 精 度: 0.2%+2LSB
   6.测试速度:0.2MS/参数

1.1 系统概述
HUSTEC-5000是一款很具有代表性的新型半导体晶体管图示系统,本系统可自动生成功率器件的I-V曲线,也可根据客户的实际需求设置功能测试,直接读取数显结果。系统在失效分析,IQC来料检验及高校实验室等部门有广泛的应用。系统生成的曲线都使用ATE系统逐点建立,保证了数据的准确可靠。系统典型的测试时间是6 to 20ms,通常上百个数据点曲线只需要几秒钟时间便可以展现出来,数据捕获的曲线可导入EXCEL等格式进一步分析研究,是一款高效多功能的高端半导体测试设备。
 
本系统使用方便,只需要通过USB或者RS232与电脑连接,通过电脑中友好的人机界面操作,即可完成测试。并可以实现测试数据以EXCEL和WORD的格式保存。系统提供过电保护功能,门极过电保护适配器提供了广泛的诊断测试。这些自我测试诊断被编成测试代码,以提供自我测试夹具,在任何时间都可以检测。对诊断设备状态和测试结果提供了可靠地保证。
 
1.2 HUSTEC-5000测试仪指标
 
技术指标
主极参数 控制极参数
指标 标配   指标 标配  
②主极电压: 1mV-2000V   ①控制极电压: 100mV-20V  
②电压分辨率: 1mV   ②电压分辨率: 1mV  
③主极电流: 0.1nA-100A   ③控制极电流: 100nA-10A  
④电流分辨率: 0.1nA        
⑤测试精度: 0.2%+2LSB        
⑥测试速度: 0.5mS/参数        
 
 
 
1.3  HUSTEC-5000测试系统是一套高速多用途半导体分立器件智能测试系统,它具有十分丰富的编程软件和强大的测试能力,可真实准确测试下列各种大、中、小功率的半导体分立器件。
  
  测试范围 / 测试参数
  序号 测试器件 测试参数
  01 绝缘栅双极大功率晶体管
IGBT
ICES;IGESF;IGESR;BVCES;VGETH;VCESAT;ICON;
VGEON;VF;GFS
  02 MOS场效应管 
MOS-FET
IDSS;IDSV;IGSSF;  IGSSR;VGSF;VGSR;BVDSS;
VGSTH;VDSON、VF(VSD) IDON;VGSON;RDSON;GFS
  03 J型场效应管
J-FET
IGSS;IDOFF;IDGO;BVDGO;BVGSS;VDSON,VGSON;
IDSS;GFS;VGSOFF
  04 二极管
DIODE
IR;BVR ;VF
  05 晶体管
(NPN型/PNP型)
ICBO;ICEO;ICER; ICES; ICEV;IEBO;BVCEO ;BVCBO;
BVEBO;HFE;VCESAT;VBESAT;VBE(VBEON);RE;VF
  06 双向可控硅
TRIAC
VD+;VD-;VT+ ; VT-;IGT;VGT ;IL+;IL-;IH+;IH-
  07 可控硅
SCR
IDRM;IRRM;IGKO;VDRM;VRRM;BVGKO;VTM;
IGT;VGT;IL;IH
  08 硅触发可控硅
STS
IH+; IH-;VSW+ ; VSW-;VPK+ ;
 VPK-;VGSW+;VGSW-
  09 达林顿阵列
DARLINTON
ICBO; ICEO;ICER;ICES;ICEX;IEBO;BVCEO;
BVCER;BVCEE;BVCES ;BVCBO;BVEBO;hFE ;
VCESAT; VBESAT;VBEON
  10 光电耦合
OPTO-COUPLER
ICOFF、ICBO;IR;BVCEO;BVECO;BVCBO;BVEBO;
CTR;HFE;VCESAT; VSAT;VF(Opto-Diode)
  11 继电器
RELAY
RCOIL;VOPER;VREL;RCONT;OPTIME; RELTIME
  12 稳压、齐纳二极管
ZENER
IR;BVZ;VF;ZZ
  13 三端稳压器
REGULATOR
Vout;Iin;
  14 光电开关
OPTO-SWITCH
ICOFF;VD;IGT;VON;ION ;IOFF
  15 光电逻辑
OPTO-LOGIC
IR;VF;VOH;VOL;IFON; IFOFF
  16 金属氧化物压变电阻
MOV
ID+ ID-;VN+;  VN-;VC+ ;VCLMP-;VVLMP+ ;
  17 固态过压保护器
SSOVP
ID+ ID-;VCLAMP+, VCLAMP-;VT+、VT-;IH+、
IH-;;IBO+ IBO-;VBO+  VBO-;VZ+  VZ-
  18 压变电阻
VARISTOR
ID+;  ID-;VC+   ;VC-
  19 双向触发二极管
DIAC
VF+,VF-,VBO+,VBO-,IBO+,IBO-,IR+,IR-,
 

1.4系统曲线测试列举
ID vs. VDS at range of VGS             
ID vs. VGS at fixed VDS
IS vs. VSD                             
RDS vs. VGS at fixed ID
RDS vs. ID at several VGS             
IDSS vs. VDS
HFE vs. IC                            
BVCE(O,S,R,V) vs. IC
BVEBO vs. IE                          
BVCBO vs. IC
VCE(SAT) vs. IC             
VBE(SAT) vs. IC
VBE(ON) vs. IC (use VBE test)      
VCE(SAT) vs. IB at a range of ICVF vs. IF

mosfet(n-channel)(金属-氧化物-半导体 场效应管)