MOS管动态参数测试仪

ITC57300是美国ITC公司设计生产的高集成度功率半导体分立器件动态参数测试设备,采用测试主机+功能测试头+个性板的测试架构,可以满足N沟道、P沟道器件、双极晶体管等的各项动态参数的测试要求,且具有波形实时显示分析功能,是目前具领先水平的完备可靠的动态参数测试设备。开关时间,开关损耗,栅极电荷,TRR /的Qrr和其他瞬态测试。

型号 : itc57300
品牌 : 华科智源
名称 : MOS管动态参数测试仪
用途 : MOS管,IGBT,二三极管

华科智源专业研发生产半导体测试设备,提供ITC57300mos管IGBT功率器件动态参数测试仪,大功率IGBT到小功率管MOS的测试, 包括动态参数和静态参数测试,雪崩能量测试以及热阻测试, 索取相关资料和报价请联系陈先生 

ITC57300是美国ITC公司设计生产的高集成度功率半导体分立器件动态参数测试设备,采用测试主机+功能测试头+个性板的测试架构,可以满足N沟道、P沟道器件、双极晶体管等的各项动态参数的测试要求,且具有波形实时显示分析功能,是目前具领先水平的完备可靠的动态参数测试设备。
ITC57300动态参数测试系统主机可执行非破坏性的瞬态测量测试,包括对半导体器件绝缘栅双极晶体管(IGBT),功率MOSFET,二极管,双极型器件的测试头。主机包括所有测试设备和必要的软件分析,可执行电阻和电感的开关时间,开关损耗,栅极电荷,TRR /的Qrr和其他瞬态测试。
ITC57300能力

测试电压:1200 VDC 200(短路电流可达1000A)

定时测量:最低为1 ns

漏电流限制监视器

-  MOSFET开关时间测试, Max VDD =1.2KV,0.1V Steps 
-  MOSFET,Diodes Qrr/Trr反向恢复时间测试,Max VDD=1.2KV, 0.1V Steps
-  Qrr range:1nc~100uc,Trr range:10ns~2us
-  MOSFET栅电荷Qg测试,Max VDD =1.2KV,0.1V Steps 
-  IGBT感性开关时间测试,Max VDD =1.2KV,0.1V Steps,Inductors range:0.1mH~159.9mH
-  IGBT短路耐量测试,Max ISC=1000A
测试标准: 
- MIL-STD-750 Series

ITC57300mos管IGBT功率器件动态参数测试仪选项

额外的电源供应器

额外的测试头

大包装适配器

ITC57300mos管IGBT功率器件动态参数测试仪测试头

ITC57210 - N-通道和P-通道功率MOSFET,MIL-STD-750方法3472开关时间

ITC57220 - TRR /电源,MOSFET和二极管的Qrr,MIL-STD-750方法,3473

ITC57230 - 栅极电荷功率MOSFET,MIL-STD-750方法3471

ITC57240 - 电感式开关时间为IGBT,MIL-STD 750方法3477

ITC57250 - (ISC)短路耐受时间,MIL-STD-750方法3479

ITC57300mos管IGBT功率器件动态参数测试仪系统特点

很容易改变的测试头

在不同参数的自动化测试

坚固耐用的PC兼容计算机

用户友好的菜单驱动软件

可编程测试出纸槽

电子表格兼容的测试数据

可选内部电感负载

GPIB可编程测试设备

四通道高带宽数字示波器

脉冲发生器

1200V电源

ITC57300mos管IGBT功率器件动态参数测试仪安全特性

测试头高电压互锁

接收端的高电压互锁

高速漏极供电开关

 

ITC57210 开关时间测试头

此测试头以美军标 MIL-STD-750, Method 3472,验证功率器件MOSFETs,P沟道和N沟道的开关时间。所测量的参数包括 :Time Delay On [td(on)],Rise Time(tr),Time Delay Off [td(off)],Fall Time(tf)

 

ITC57220 Trr/Qrr测试头

ITC57220测试头以美军标MIL-STD-750, Method 3473,进行反向恢复Trr/Qrr测试。 

 

首先,驱动电路中的电感电流上升,电流升到所设定的值时,电源会被切开。电感内的的电流会通过被测器件中的二极管排放。经过一段短时间后,驱动器再次启动,致使器件中的二极管经历反向恢复动作。由此所捕捉到的波形经过分析后便能取得反向恢复时间,电流和累积电荷等数据。

 

ITC57230 栅电荷测试头

ITC57230对功率器件MOSFETs的栅电荷能力以美军标MIL-STD-750, Method 3471进行考验。 

先给MOSFET管的栅极加电压,在栅极打开时,把一个恒电流,高阻抗的负载接到MOSFTE管的漏极。

当漏极电流攀爬到用户设定的数值时,被测器件的栅电荷可通过向漏极导通可编程恒流源放电(或P沟道器件,向源极导通)。通过监视栅电压和波形下各部分的面积便可计算出电荷量。

 

ITC57240 感性负载开关时间测试头

ITC57240测试头以美军标MIL-STD-750, Method 3477的定义,实行感性负载开关时间测试。

 

IGBT驱动器会在电感圈内产生测试电流。当断开时,电流会通过寄生(齐纳)二极管。在这瞬间,打开和关闭DUT器件开始对开关时间和开关能量进行测试。当它开关时,DUT器件能观察到流入电感圈里的测试电流和横跨齐纳二极管的电压,而不受续流二极管所产生的任何反向恢复因素所影响。

 

ITC57250 短路耐量测试头

ITC57250以美军标MIL-STD-750, Method 3479的定义,实行短路耐抗时间测试。

 

在某些电路,如马达驱动电路,半导体器件须有能力抗衡并顶住短时间的短路状况。此测试就是用于验证器件在短路情况下所能承受的耐抗时间。器件内的电流是取决于器件的放大值(gain)和所使用的驱动脉宽。

 

ITC57260 结电容/栅极等效电阻测试头 Rg, Ciss, Coss & Crss

此测试头应用频率扫描和固定电感圈,找出所形成的RLC电路的共振点然后进行对功率器件MOSFET的栅极电阻测量。它同时也测量器件的输入电容(Ciss),输出电容(Coss)和反向电容(Crss).

 

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