HUSTEC-5000分立器件测试仪

● IV曲线显示/局部放大 ● 程序保护最大电流/电压以防损坏 ● 品种繁多的曲线 ● 可编程的数据点对应 ● 增加线性或对数 ● 可编程延迟时间可减少器件发热 ● 保存和重新导入入口程序 ● 保存和导入之前捕获图象 ● 曲线数据直接导入到EXCEL

型号 : HUSTEC-5000
品牌 : 华科智源
名称 : 晶体管图示仪 分立器件测试仪
用途 : 测试二三极管,MOS管,IGBT,晶闸管,可控硅等

 


   设备扩展性强,通过选件可以提高电压、电流和测试品种范围。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条件点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座,自动补

偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降,保证测试结果准确可靠。

    面板显示装置可及时显示系统的各种工作状态和测试结果,前面板的功能按键方便了系统操作。通过功能按键,系统可以脱离主控计算机独立完成多种工作。

系统提供与机械手、探针台、电脑的连接口,可以支持各种不同辅助设备的相互连接使用。      

 基础配置:

技术参数

ENJ2005-A型

主极电压

10mV-2000V

主极电流

100nA-50A

扩展电流

100A、200A、400A、500A

电压分辨率

1mV

电流分辨率

100nA

测试精度

0.5%+2LSB

测试速度

0.5mS/参数

测试参数:

漏电参数:IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)
击穿参数:BVCEO   BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、 VD、  BVCBO、 VDRM、 VRRM、 VBB、BVR 、 VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、 BVGSS、 BVGKO
增益参数:hFE、CTR、gFS、
导通参数:VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VGETH、VTM、VSD、
                IDON、VSAT、IDON、 Notch = IGT1,IGT4、ICON、VGEON、VO(Regulator)、IIN(Regulator)
混合参数:rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation
关断参数:VGSOFF      
触发参数:IGT、VGT
保持参数:IH、IH+、IH-
锁定参数:IL、IL+、IL-

系统特征:

● 测试范围广(19大类,27分类)
●升级扩展性强,通过选件可提高电压电流,和增加测试品种范围。支持电压电流阶梯升级至2000V,1250A
● 采用脉冲测试法,脉冲宽度为美军标规定的300uS
● 被测器件引腿接触自动判断功能,遇到器件接触不良时系统自动停止测试,确保被测器件不受损坏
● 真正的动态跨导测试。(主流的直流方法测动态跨导,其结果与器件实际值偏差很大)
● 系统故障在线判断修复能力,便于应急处理排除故障
● 二极管极性自动判别功能,无需人工操作

系统特征:

 IV曲线显示/局部放大                          

 程序保护最大电流/电压,以防损坏        

 品种繁多的曲线

 可编程的数据点对应                   

 增加线性或对数

 可编程延迟时间可减少器件发热          

 保存和重新导入入口程序

 保存和导入之前捕获图象                

 曲线数据直接导入到EXCEL

 曲线程序和数据自动存入EXCEL           

 测试范围广(19大类、27分类)

曲线测试:

ID vs. VDS at range of VGS            

ID vs. VGS at fixed VDS

IS vs. VSD                            

RDS vs. VGS at fixed ID

RDS vs. ID at several VGS            

IDSS vs. VDS  /  HFE vs. IC                           

BVCEO,S,R,V vs. IC

BVEBO vs. IE                         

BVCBO vs. IC

VCESAT vs. IC            

VBESAT vs. IC

VBEON vs. IC use VBE test     

VCESAT vs. IB at a range of ICVF vs. IF

测试参数:

漏电参数:IR  ICBO LCEO/S/XIDSS/X IDOFF IDRMIRRMICOFFIDGOICESIGESFIGESRIEBOIGSSFIGSSRIGSSIGKO IR(OPTO)

击穿参数:BVCEOBVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS VDBVCBO VDRM VRRM VBBBVRVD+VD-BVDGOBVZBVEBOBVGSS BVGKO

增益参数:hFECTRgFS

导通参数:VCESATVBESATVBEON VFVTVT+VT- VONVDSONVDONVGSONVF(Opto-Diode)VGSTHVTMVGETHVSDIDONVSATIDONVO(Regulator)Notch = IGT1IGT4ICONVGEON、、IIN(Regulator)

关断参数:VGSOFF

触发参数:IGTVGT

保持参数:IHIH+IH-

锁定参数:ILIL+IL-

混合参数:rDSONgFSInput RegulationOutput Regulation

间接参数:IL               

配置规格:

配置

规格/环境

主极电压

1mV-2000V 尺       寸 450×570×280(mm)

电压分辨率

1mV 质       量 35kg

主极电流

0.1nA-50A 工作电压 200V-240V

扩展电流

100A 电源频率 47Hz-63Hz

电流分辨率

0.1nA 工作温度 25℃-40℃

测试精度

0.2%+2LSB 通信接口 RS232 USB

测试速度

0.5mS/参数 系统功耗 <150w

                 测试范围:

 

 

01

二极管                                        /               DIODE

02

晶体管                                        /               NPN型/PNP型

03

J型场效应管                               /                J-FET

04

MOS场效应管                           /                MOS-FET         

05

双向可控硅                                /                TRIAC

06

可控硅                                       /                SCR

07

绝缘栅双极大功率晶体管            /                IGBT

08

硅触发可控硅                             /                STS

09

达林顿阵列                                 /               DARLINTON

10

光电耦合                                    /                OPTO-COUPLER

11

继电器                                       /                RELAY

12

稳压、齐纳二极管                      /                ZENER

13

三端稳压器                                 /               REGULATOR

14

光电开关                                    /               OPTO-SWITCH

......其它器件共19大类27分类

 

 

电源作所有电子产品的心脏,无处不在 ,据不完全统计,电子产品损坏的故障60%源自于电源,但目前电源行业似乎成了门槛很低的行业,似乎搞清楚几种典型的 拓扑,知道变压器怎么绕的就可以做好电源。其实,业类人士都知道,做一个好的电源使其输出5V电压并不难,难的是做好一个电源,在不同环境温度,不同输入电压,不同负载下工作,满足各种EMC指标,散热良好,具有电路保护等功能的电源难度就很大了,高端电源仍然是高技术难度的行业。开关电源核心的整流滤波电路、功率变换电路、PWM控制器电路,电路保护功能等都离不开各种晶体管,MOS,IGBT等。
 
随着泰克经典图示仪370B停产多年,并淡出人们视线,传统的图示仪在精度,量程,可靠性以及可生成曲线种类的局限性,无法编程控制,数据没法回溯,数据存储操作复杂,测试效率低等多方面的因素,在电源设计,来料检验以及失效分析等环节有相当大额局限性,尤其在高效率精密电源的关键元器件的选型和质量管控上更是显得捉襟见肘;
 
 下面我们来具体了解下 HUSTEC-5000晶体管图示仪的相关应用:
在电源设计阶段,工程师们为了达成预定的设计目标,在前期器件选型的过程中会谨慎的留有余量,并会持续关注器件的真实反应是否和规格书datesheet上的表述那样。开关电源的核心器件离不开各种 开关管,通常最常见的是 MOSFET,大功率的 会用到IGBT,照明电源三极管居多。
我们以MOSFET为例子,下面是用华科智源科技有限公司 HUSTEC-5000系列晶体管图示仪实测的一颗 IRF610得到的输出特性曲线,曲线反应了漏源电压VDS对Id的影响;
 
 
从图中我们能够清楚地看到可变电阻区,当VDS较小时,ID与VDS呈线性关系,随着VGS增加,对应的曲线的斜率也相应增大,此时可以近似看作是一个可用VGS调节的可变电阻。在平常使用过程中,MOSFET作为压控电阻时我们比较关注这段曲线的情况。在饱和区时可以看出VDS的增大时不会影响到ID,这是我们关注的的电气特性。通过曲线特征观测,工程师就能很明确的了解选用的器件特性如何,给器件选型提供判定的依据。
 
RDS(on)也是器件选型中很关键的参数,RDS(on)小的话有利于减少温升,但这个参数不是越小越好,还要考虑电路的驱动能力以及最高工作频率。通过HUSTEC-5000可以非常直观的看到器件RDS(on)与ID之间的关系,随着ID的增加RDS(on)会稍微变大,但是当ID达到一定值之后,RDSON显著增加,说明这个阶段升温比较快。如上图所示。
 


再看看VGS对RDS(on)的影响,开始的时候电阻很大,随着VGS增大器件导通并保持特有的阻值。
 
另外我们关注的截止状态IDSS对应VDS的曲线也很容易实现,一眼就能看到击穿点的位置。
 
华科智源科技有限公司 HUSTEC-5000系列晶体管图示仪能够测试的元器件种类很多,二极管、稳压管、可控硅、光耦、IGBT等等,单一器件的输出曲线特性种类很丰富,上面仅就MOSFET举个例子。更关键的是的曲线是程控的,所有的测试条件都可以保存为一个程序,同一个器件或者同一批次的器件下次再做测试的时候,可以直接调用之前保存的程序,基于Window界面的操作软件,非常简单,只需要完成简单的填空就可以。


测试数据可以直接保存在Excel表格里面,以便于进一步的分析和处理,如下图所示。

 
 
在测试指标通过,进入量产阶段,HUSTEC-5000系列晶体管图示仪仍然会有很大的用途,在器件来料检验阶段,实力雄厚的大厂往往对品质要求非常之严格,格外的注重自身品牌的影响力。虽然选择的器件是知名大品牌的器件,但是他们的来料检验还是必要的,有些元器件一级级的分很多代理去销售,代理商之间可能会相互串货,不怕一万就怕万一,难保会有紧俏缺货的时候,市场又鱼龙混杂,打着同样mark的料,可能身世各不相同。
测试量大就更要求程序控制,高速自动测试的同时数据自动存储在EXCEL,良品不良品能够进行自动判定。不管是NMOS还是PMOS,还是二三极管,IGBT等等都可以测试,如下图所示几乎规格书上会有的所有DC参数都涵盖了。
 
而产品量产阶段同样会有寻找成本更低并且仍能满足要求的替代器件的需求。成本的降低会直接导致利润的提高,这时候华科智源 ENJ2005系列晶体管图示仪能够通过测试数据对比,来判定新找的器件是能够有效替代。
 HUSTEC-5000系列晶体管图示仪还有一个非常有效的应用领域,就是失效分析领域,在发生品质事故时,往往需要做失效分析,这是HUSTEC-5000会成为一个得力的助手。在一些半导体生产厂家如银茂微电子,力特电子等,甚至一些第三方的专门做失效分析的检测机构,如深圳美信检测,深圳帆泰检测也在使用HUSTEC-5000做检测,所以它的测试结果很有说服力。