HUSTEC-5000分立器件测试仪

● IV曲线显示/局部放大 ● 程序保护最大电流/电压以防损坏 ● 品种繁多的曲线 ● 可编程的数据点对应 ● 增加线性或对数 ● 可编程延迟时间可减少器件发热 ● 保存和重新导入入口程序 ● 保存和导入之前捕获图象 ● 曲线数据直接导入到EXCEL

型号 : HUSTEC-5000
品牌 : 华科智源
名称 : 晶体管图示仪 分立器件测试仪
用途 : 测试二三极管,MOS管,IGBT,晶闸管,可控硅等

 


   设备扩展性强,通过选件可以提高电压、电流和测试品种范围。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条件点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座,自动补

偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降,保证测试结果准确可靠。

    面板显示装置可及时显示系统的各种工作状态和测试结果,前面板的功能按键方便了系统操作。通过功能按键,系统可以脱离主控计算机独立完成多种工作。

系统提供与机械手、探针台、电脑的连接口,可以支持各种不同辅助设备的相互连接使用。      

 基础配置:

技术参数

ENJ2005-A型

主极电压

10mV-2000V

主极电流

100nA-50A

扩展电流

100A、200A、400A、500A

电压分辨率

1mV

电流分辨率

100nA

测试精度

0.5%+2LSB

测试速度

0.5mS/参数

测试参数:

漏电参数:IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)
击穿参数:BVCEO   BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、 VD、  BVCBO、 VDRM、 VRRM、 VBB、BVR 、 VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、 BVGSS、 BVGKO
增益参数:hFE、CTR、gFS、
导通参数:VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VGETH、VTM、VSD、
                IDON、VSAT、IDON、 Notch = IGT1,IGT4、ICON、VGEON、VO(Regulator)、IIN(Regulator)
混合参数:rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation
关断参数:VGSOFF      
触发参数:IGT、VGT
保持参数:IH、IH+、IH-
锁定参数:IL、IL+、IL-

系统特征:

● 测试范围广(19大类,27分类)
●升级扩展性强,通过选件可提高电压电流,和增加测试品种范围。支持电压电流阶梯升级至2000V,1250A
● 采用脉冲测试法,脉冲宽度为美军标规定的300uS
● 被测器件引腿接触自动判断功能,遇到器件接触不良时系统自动停止测试,确保被测器件不受损坏
● 真正的动态跨导测试。(主流的直流方法测动态跨导,其结果与器件实际值偏差很大)
● 系统故障在线判断修复能力,便于应急处理排除故障
● 二极管极性自动判别功能,无需人工操作

系统特征:

 IV曲线显示/局部放大                          

 程序保护最大电流/电压,以防损坏        

 品种繁多的曲线

 可编程的数据点对应                   

 增加线性或对数

 可编程延迟时间可减少器件发热          

 保存和重新导入入口程序

 保存和导入之前捕获图象                

 曲线数据直接导入到EXCEL

 曲线程序和数据自动存入EXCEL           

 测试范围广(19大类、27分类)

曲线测试:

ID vs. VDS at range of VGS            

ID vs. VGS at fixed VDS

IS vs. VSD                            

RDS vs. VGS at fixed ID

RDS vs. ID at several VGS            

IDSS vs. VDS  /  HFE vs. IC                           

BVCEO,S,R,V vs. IC

BVEBO vs. IE                         

BVCBO vs. IC

VCESAT vs. IC            

VBESAT vs. IC

VBEON vs. IC use VBE test     

VCESAT vs. IB at a range of ICVF vs. IF

测试参数:

漏电参数:IR  ICBO LCEO/S/XIDSS/X IDOFF IDRMIRRMICOFFIDGOICESIGESFIGESRIEBOIGSSFIGSSRIGSSIGKO IR(OPTO)

击穿参数:BVCEOBVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS VDBVCBO VDRM VRRM VBBBVRVD+VD-BVDGOBVZBVEBOBVGSS BVGKO

增益参数:hFECTRgFS

导通参数:VCESATVBESATVBEON VFVTVT+VT- VONVDSONVDONVGSONVF(Opto-Diode)VGSTHVTMVGETHVSDIDONVSATIDONVO(Regulator)Notch = IGT1IGT4ICONVGEON、、IIN(Regulator)

关断参数:VGSOFF

触发参数:IGTVGT

保持参数:IHIH+IH-

锁定参数:ILIL+IL-

混合参数:rDSONgFSInput RegulationOutput Regulation

间接参数:IL               

配置规格:

配置

规格/环境

主极电压

1mV-2000V 尺       寸 450×570×280(mm)

电压分辨率

1mV 质       量 35kg

主极电流

0.1nA-50A 工作电压 200V-240V

扩展电流

100A 电源频率 47Hz-63Hz

电流分辨率

0.1nA 工作温度 25℃-40℃

测试精度

0.2%+2LSB 通信接口 RS232 USB

测试速度

0.5mS/参数 系统功耗 <150w

                 测试范围:

 

 

01

二极管                                        /               DIODE

02

晶体管                                        /               NPN型/PNP型

03

J型场效应管                               /                J-FET

04

MOS场效应管                           /                MOS-FET         

05

双向可控硅                                /                TRIAC

06

可控硅                                       /                SCR

07

绝缘栅双极大功率晶体管            /                IGBT

08

硅触发可控硅                             /                STS

09

达林顿阵列                                 /               DARLINTON

10

光电耦合                                    /                OPTO-COUPLER

11

继电器                                       /                RELAY

12

稳压、齐纳二极管                      /                ZENER

13

三端稳压器                                 /               REGULATOR

14

光电开关                                    /               OPTO-SWITCH

......其它器件共19大类27分类